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曹青; 叶志镇;
浙江大硅材料国家重点实验室;
辐射传热; 化学气相沉积; 硅; UHVCVD; 电阻丝; 升温;
机译:MOCVD反应器中电阻丝加热器的分析与设计
机译:在CVD中使用闪速加热实现硅和锗的原子逐层外延
机译:在没有衬底加热的情况下通过等离子CVD在Ge(100)上外延生长的高应变Si上热CVD B掺杂Si膜的电学特性
机译:在没有衬底加热的情况下使用ECR等离子体CVD在弛豫的Ge / Si(100)上外延生长高应变硅
机译:CVD反应器中硅外延和粒子动力学的理论/实验研究
机译:沉积速率对等离子体增强CVD外延硅结构性能的影响
机译:CVD中闪光加热硅和锗的原子层逐层外延
机译:硅同质外延薄膜的电子束辅助CVD
机译:在辐射加热桶式CVD反应器中的硅衬底上进行硅外延沉积,包括将衬底加热至最高温度,而无需中间停留时间
机译:带有电阻丝的辐射加热器-在透明玻璃前面板后排有扁平腔,用于固定电阻丝
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