3″硅片CVD外延电阻丝辐射加热物理基础及升温瞬态过程分析

摘要

本文论述了关于ＵＨＶＣＶＤ系统电阻丝辐射加热装置传热规律的物理基础；并利用它们对硅片升温的瞬态过程进行了研究，取得了与实验相近的结果．这为ＵＨＶＣＶＤ硅低温外延时控制硅片温度提供了理论根据．