MOVPE生长Znδ掺杂GaAs结构的霍耳测量

摘要

使用自动变温霍耳测试系统测定了减压ＭＯＶＰＥ外延生长的锌δ掺杂ＧａＡｓ结构，结果表明，改进δ掺杂工艺在５５０℃下掺杂可获得高达３×１０＾１３／ｃｍ＾２的室温二维空穴浓度，在１５－９０Ｋ低温下发现高浓度Ｚｎδ掺杂ＧａＡｓ样品中出现反常霍耳导电行为。