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掺杂; 钒; 砷化镓; MOVPE; 生长; Ⅲ-Ⅴ族;
机译:固体源分子束外延生长碳掺杂GaAs和InGaAs及其Ⅲ/Ⅴ比对其性能的影响
机译:具有元素镓和砷源以及CCl_4气源的碳掺杂GaAs的分子束外延生长
机译:金属有机气相外延生长钒掺杂GaAs层的光反射特性
机译:高功率锥形INGaAs / GaAs激光二极管,具有通过固体源分子束外延生长形成的碳掺杂覆层
机译:Si(1-x)Ge(x)(001)气源分子束外延期间的超高B掺杂:层生长动力学,掺杂剂掺入,电激活和载流子传输的机理研究。
机译:MBE在(100)和(311)A GaAs衬底上生长的Be掺杂AlGaAs中深层缺陷的电学表征
机译:MOVPE生长的钒掺杂GaAs的性质
机译:使用四乙基锡作为N型掺杂剂源在Gaas,alGaas和alas中用于mOCVD生长的激光器和布拉格反射器
机译:Si掺杂GaAs单晶锭及其制造方法,以及由Si掺杂GaAs单晶锭制成的Si掺杂GaAs单晶晶片
机译:硅掺杂的gaas-单晶锭及其制造方法,以及硅掺杂的gaas-单晶晶片,由硅掺杂的gaas-单晶锭组成
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