机译：具有硅平面掺杂蚀刻停止层的隐栅AlGaAs-InGaAs-GaAs伪晶HEMT
机译：具有用于HEMT应用的SiN和LT-AlN中间层的AlGaN / GaN / Si异质结构的MOVPE生长条件优化
机译：在平面Si（112）和Si（113）衬底上半极性GaN发光二极管结构的MOVPE生长
机译：SI平面掺杂AIGAAS / LNGAAS假形式HEMT结构的MOVPE生长
机译：（111）A砷化镓上的压电铟砷化镓/砷化镓应变量子阱结构：MOVPE的生长，性质及其在半导体激光器中的应用。
机译：MOVPE生长条件对锗掺杂GaN层的影响
机译：MOVPE生长条件为AlGaN / GaN / Si异质结构的优化，SIN和LT-ALN中间层专为HEMT应用而设计
机译：具有0.25微米栅极假晶入（0.60）Ga（0.40）as / In（0.52）al（0.48）as / Inp调制掺杂场效应晶体管的单片集成平面前端光接收器
