CuXSe_2(X=Al,Ga,In)中电子与晶体结构关系的研究

摘要

利用第一性原理研究对太阳能材料ZnSe和CuXSe2(X=Al,Ga,In)的结构进行优化并计算.重点分析电子在二元和三元半导体材料中对形变参数、键长等的影响.发现在二元半导体不会发生形变是由于电荷只在Zn与Se之间转移,整体显示电中性,而三元半导体中电荷不仅在分子内部转移,而且在分子间也有相互作用,造成整个分子带有一定的电荷,导致了结构的形变,且随着X原子序数的增加u值减小.