外电场作用下SiC分子的结构与光谱

摘要

以6-311++G(d,p)为基函数,采用密度泛函理论的B3LYP方法研究了不同外电场(-0.03a.u.～0.03a.u.)作用下对SiC分子的几何结构、HOMO能级、LUMO能级、能隙、振动频率及红外光谱强度的影响.结果表明:随着正向电场F 的逐渐增大,核间距Re 先减小,在F=0.02a.u.时,核间距Re 取得最小,其值为0.1712 nm, 此后随着电场F 继续增大,核间距Re 逐渐增大;分子总能量逐渐升高,并且增大的幅度呈减小的趋势,在F=0.01a.u. 时,能量取得最大值,其后继续增大外电场,能量则又开始减少;EH 、EL和能隙Eg 始终处于减小趋势.随着正向电场的逐渐增大,振动频率逐渐逐渐减小,且减小的幅度呈增大的趋势.外电场对SiC分子的激发能、振子强度及红外振动光谱的位置和强度均有较大影响.