能隙

摘要： 采用密度泛函B3LYP方法研究了团簇F_(2)La_(2)^((0,-1))体系的结构和稳定性。计算得到了F_(2)La_(2)^((0,-1))体系的稳定结构,确定出基态构型并计算其结合能,中性团簇体系基态结构为具有D_(2h)对称性的菱形结构,在该体系中平均结合能相对较大,稳定性较强;负离子体系的基态结构是具有C_(2V)对称性的蝴蝶型结构,在该体系中其平均结合能较大,稳定性较强。同时计算了体系稳定结构的能隙,两种体系基态结构的能隙大小近似相等,其化学活性相似。

摘要： 双层扶手型石墨烯纳米带的带宽既能打开能隙也能关闭能隙,但带宽难以在实验中精准调控.在紧束缚模型下,结合格林函数理论,证实线缺陷能够调控同一带宽的双层扶手型石墨烯纳米带能隙.本文计算了双层扶手型石墨烯纳米带在不同缺陷下的能带结构、格点波函数和输运性质.数值计算表明,带宽N=3n+2(n为整数)的金属带可被L≠3m(L为缺陷位置,m为整数)的线缺陷占位能打开能隙,一条A(B)原子线缺陷足以打开AB堆叠金属带能隙.带宽N≠3n+2的半导带可被L=3m的线缺陷占位能关闭能隙.仅增加带宽,也可关闭AA堆叠半导体带能隙,但不能关闭AB堆叠半导体能隙.缺陷的占位能可由栅压调控,这为设计双层石墨烯基量子器件提供了理论支持.

摘要： 采用密度泛函与含时密度泛函理论对染料分子AQ310,AQ311,AQ312原子替换后的光学性质进行分析.通过分子的几何结构、能级能隙、前线分子轨道、吸收光谱等参数对原子替换后的性质变化进行深入分析与讨论.结果表明,原子替代后的AQ312共轭桥基团扭曲明显,分子对基底敏化时不易发生堆积.此外,AQ312的HOMO能级上升,LUMO能级下降,能隙变小,使分子在受到光的激发后更容易传输电子到基底中,并且与之相对应的是AQ312的吸收峰相比AQ310,AQ311的吸收峰发生明显红移,说明AQ312具有更好的光电性能.

摘要： 石墨烯和六方氮化硼堆叠在一起时可以通过范德瓦尔斯力形成层状异质结,称为范德瓦尔斯异质结。我们利用紧束缚模型研究了AA堆叠和AB堆叠结构下石墨烯/六方氮化硼范德瓦尔斯异质结体系的能带结构。提出了利用局域势和层间势调控能带的有效方法。结果表明,势场可以改变范德瓦尔斯材料的能带结构,使体系从绝缘相向金属相转变。

摘要： 采用密度泛函理论对CO在阴离子团簇Aun+1-1、AunCr-1(n=1-10))表面的吸附做了系统研究.结果表明,团簇Aun+1CO-1、AunCrCO-1的基态结构是在团簇Aun+1-1,、AunCr-1最低能量结构的基础上吸附CO形成;吸附后的CO键长变长,振动频率减小,表明CO分子被活化;取值相同时,AunCrCO-1的平均结合能高,表明团簇Aun+1CO-1掺杂Cr后稳定性升高.HOMO-LOMO能隙结果表明Aun+1CO-1替代掺杂Cr原子后团簇的化学活性得到了提升,AunCrCO-1、Aun+1CO-1团簇能隙具有奇偶振荡的现象;轨道电荷分析表明CO与团簇相互作用实质是C原子与成键Au原子或Cr原子间转移电荷,CO在与团簇相互作用过程中O原子轨道电荷分布几乎没有发生变化.

摘要： 氮化镓(GaN)是一种Ⅲ-Ⅴ族宽能隙化合物半导体材料,能隙为3.4 eV,电子迁移率为1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此,Ga N的固有性质让器件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻,这就是说,与同尺寸的硅基器件相比,GaN器件可以处理更大的负载,能效更高,物料清单成本更低。

摘要： 采用密度泛函理论对CO在阴离子团簇Au_(n+1)^(-1)、 Au_(n)Cr^(-1)(n=1-10))表面的吸附做了系统研究.结果表明,团簇Au_(n+1)CO^(-1)、 Au_(n)CrCO^(-1)的基态结构是在团簇Au_(n+1)^(-1)、Au_(n)Cr^(-1)最低能量结构的基础上吸附CO形成;吸附后的CO键长变长,振动频率减小,表明CO分子被活化;取值相同时,Au_(n)CrCO^(-1)的平均结合能高,表明团簇Au_(n+1)CO^(-1)掺杂Cr后稳定性升高. HOMO-LOMO能隙结果表明Au_(n+1)CO^(-1)替代掺杂Cr原子后团簇的化学活性得到了提升,Au_(n)CrCO^(-1)、 Au_(n+1)CO^(-1)团簇能隙具有奇偶振荡的现象;轨道电荷分析表明CO与团簇相互作用实质是C原子与成键Au原子或Cr原子间转移电荷,CO在与团簇相互作用过程中O原子轨道电荷分布几乎没有发生变化.

摘要： 基于第一性原理计算,以强极性极化材料作为衬底,提出一种打开双层石墨烯能隙的有效方法.应用表面功能化的氮化硼极性材料为衬底,使以AA和转角形式堆垛的双层石墨烯,其能隙打开到0.033 9 eV和0.032 5 eV.当以AB方式堆垛双层石墨烯时,在该衬底下其能隙可达到0.430 eV左右;且此能隙随衬底与双层石墨烯之间的堆垛方式的不同而发生微小变化.这表明该方法一方面能够通过改变双层石墨烯自身的堆垛方式来有效的改变其能隙大小;另一方面在AB堆垛情况下通过调整衬底与相邻石墨烯的堆垛方式可以对其能隙在0.430 eV附近进行微调.该方法在完美的保持双层石墨烯结构完整性的前提下,能够获得适用于光电子器件的能隙.相较于其他方法,该方法更加切实可行,能够促进石墨烯在半导体器件中的应用以及石墨烯技术的发展.

摘要： 采用密度泛函B3LYP方法研究了中性团簇体系La2Cl2和负一价体系La2Cl2-的结构和稳定性,计算得到体系的稳定结构以及各稳定结构的结合能和振动频率,给出了两个体系基态结构的最低占据轨道和最高空轨道的能级并计算出能隙.计算结果显示,中性团簇La2Cl2基态结构具有自旋多重度为3的D2H对称性的菱形结构,平均结合能最大为3.0531 eV,比其他结构稳定性强;负一价团簇La2Cl2-的基态结构具有自旋多重度为2的C2V对称性的接近直线型的梯形结构,平均结合能最大为2.3617 eV;基态La2Cl2-体系的α轨道能隙最大为1.9715 eV,该体系化学活性最弱.该计算结果可为寻找功能性材料提供理论依据.

摘要： 运用密度泛函方法在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上研究了无限长四棱柱、五棱柱和六棱柱型掺杂锌的硅纳米管的几何结构、电荷布局、能级和电偶极矩.计算结果表明,无限长四、六棱柱型Zn-Si纳米管的最低能结构均保持着基本的管状结构,五棱柱型的则畸变严重.五棱柱和六棱柱型Zn-Si纳米管的最低能结构的电子自旋多重态都为五重态,而四棱柱的为单重态.五棱柱型Zn-Si纳米管是这三种纳米管中热力学稳定性最强的.四、六棱柱型Zn-Si纳米管中电子从硅原子转向Zn原子,Zn原子充当电荷的受体,出现了电子反转现象.五棱柱型Zn-Si纳米管电子的转移方向比较复杂,Zn原子的位置不同,充当不同的电荷角色.两边的Zn 原子是电荷的施体,而中间的则充当了电荷的受体.无限长掺杂Zn 的五棱柱型硅纳米管的HOMO-LUMO 能隙比较大,它的化学稳定性比较强.这三种纳米管呈半导体型.虽然这三种纳米管是极性的,但是五棱柱型的极性很弱.

摘要： 本文基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)下,计算了团簇(HgTe)n(n＝1～8)的基态几何结构、最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙、结合能等.比较了团簇(HgTe)n和(CdSe)n基态结构,能隙与结合能随尺寸变化关系的差异等.

摘要： 利用结晶固体的释光技术在BG2003释光谱仪上获得了MgSO4、CaF2、CaSO4、LiF以及石英和LiF(Mg,P,Cu)剂量片热释光的释光光子能量.为固体能带理论的研究提供了具体数据.

摘要： 在导电聚合物中，聚乙炔（Polyacetylene简称PA）一直是人们研究的热点。实验发现，聚乙炔经[FeCl＜，4＞]＜’-＞掺杂后拉伸在整体电导率提高的同时，平行于分子链方向和垂直于该方向的电导率之比（σ＜，∥＞/σ＜，⊥＞）下降＜’[1]＞，即垂直方向的电导率在整体电导率中的比率大幅度提高。迄今，理论方面未见有关的报道，该文在我们以前工作的基础上＜’[2，3]＞，通过理论计算，首次从能隙与带宽角度讨论了反式聚乙炔本征态及[FeCl＜，4＞]＜’-＞掺杂态呈现导电性能各向异性的原因。

摘要： 这篇文章用有限元方法(Finite Element Method)模拟并分析了具有周期性柱状表面的平板声子晶体的 能带结构.数值模拟的结果显示,在四方点阵结构中,当柱状结构的高度达到一定值的时,可以形成完全 带隙.而且当柱状结构的高度逐渐增大的时候,X Γ 方向开始出现带隙并逐渐增大,当告诉达到7 倍于钢 板的厚度的时候,方向带隙的宽度达到极大值.

摘要： 这篇文章用有限元方法(Finite Element Method)模拟并分析了具有周期性柱状表面的平板声子晶体的 能带结构.数值模拟的结果显示,在四方点阵结构中,当柱状结构的高度达到一定值的时,可以形成完全 带隙.而且当柱状结构的高度逐渐增大的时候,X Γ 方向开始出现带隙并逐渐增大,当告诉达到7 倍于钢 板的厚度的时候,方向带隙的宽度达到极大值.

摘要： 这篇文章用有限元方法(Finite Element Method)模拟并分析了具有周期性柱状表面的平板声子晶体的 能带结构.数值模拟的结果显示,在四方点阵结构中,当柱状结构的高度达到一定值的时,可以形成完全 带隙.而且当柱状结构的高度逐渐增大的时候,X Γ 方向开始出现带隙并逐渐增大,当告诉达到7 倍于钢 板的厚度的时候,方向带隙的宽度达到极大值.

摘要： 这篇文章用有限元方法(Finite Element Method)模拟并分析了具有周期性柱状表面的平板声子晶体的 能带结构.数值模拟的结果显示,在四方点阵结构中,当柱状结构的高度达到一定值的时,可以形成完全 带隙.而且当柱状结构的高度逐渐增大的时候,X Γ 方向开始出现带隙并逐渐增大,当告诉达到7 倍于钢 板的厚度的时候,方向带隙的宽度达到极大值.

摘要： 本文阐述了光子晶体和光子晶体光纤的定义、原理和特性,重点分析了光子晶体光纤独特的优点和最新的技术进展,并预测了光子晶体光纤的广阔的应用前景.

摘要： 说明了具有更长使用寿命的可触发火花隙（TFS）。所述火花隙包括具有两相的对置电极（GE）。第二相材料（M2）具有比第一相材料（M1）低的电子逸出能。

摘要： 说明了具有更长使用寿命的可触发火花隙（TFS）。所述火花隙包括具有两相的对置电极（GE）。第二相材料（M2）具有比第一相材料（M1）低的电子逸出能。

摘要： 本公开涉及一种带隙基准电路及带隙基准芯片。带隙基准电路包括：电源、嵌位电路、第一晶体管、第二晶体管、等效电阻电路和基准电压输出电路；嵌位电路的输入端与电源相连，嵌位电路的输出端分别与所述第一晶体管和第二晶体管相连，用于控制第一晶体管的输入端和第二晶体管的输入端处于虚短路状态；等效电阻电路与第二晶体管的输出端相连，用于为等效电阻电路中的第一目标晶体管和第二目标晶体管提供电流，其中，等效电阻电路中的第一目标晶体管和第二目标晶体管工作在线性区；基准电压输出电路与等效电阻电路相连，用于根据等效电阻电路的电压生成基准电压。如此，可以有效减小电阻面积，进而减小带隙基准电路的面积，节约成本。

摘要： 本发明提供一种带隙基准电压电路及带隙基准电压的补偿方法，所述带隙基准电压电路包括：一阶温度补偿带隙基准单元，输出具有一阶温度补偿的带隙基准电压；二阶温度补偿单元，接一阶温度补偿带隙基准单元，向一阶温度补偿带隙基准单元输出具有二阶正温度系数的补偿电流，对带隙基准电压进行二阶温度补偿。本发明通过一阶温度补偿带隙基准单元产生具有一阶温度补偿的带隙基准电压，通过二阶温度补偿单元产生具有二阶正温度系数的补偿电流，再把具有二阶正温度系数的补偿电流作用到带隙基准电压上，有效实现了输出带隙基准电压的二阶温度补偿。

摘要： 本发明公开了一种带隙基准电压源的调整电路、方法及带隙基准电压源，其中带隙基准电压源的调整电路包括第一电压调整单元和第二电压调整单元，第一电压调整单元对应差分放大器的正输入端设置，第二电压调整单元对应差分放大器的负输入端设置，第一电压调整单元通过对流入差分放大器的正输入端的电流进行抽取控制以调整第一电压，第二电压调整单元通过对流入差分放大器的负输入端的电流进行抽取控制以调整第二电压，以便对放大器的失调电压进行调整；由此，能够明显减小失调电压，且基本不会影响带隙基准的温漂系数，从而提高带隙基准输出电压的精度和稳定性。

摘要： 本发明公开一种带隙基准电压源电路及带隙基准电压源，包括：启动电路用于启动基准电压源；偏置电流源电路通过在亚阈值区的场效应晶体管的栅源电压差控制在线性区的场效应晶体管的电阻，并根据工作在线性区的场效应晶体管的漏源电压和电阻得到偏置电流；低阈值源跟随电路通过控制运算放大器的输出阻抗控制环路增益；带隙基准核心电路根据双极型晶体管在负温度系数的基极‑发射极电压和正温度系数的基极‑发射极电压，得到基准电压；曲率补偿电路产生与温度系数呈反比的补偿电流，以对基准电压进行曲率补偿。获得低功耗高性能高精度的带隙基准电压源。

摘要： 本申请公开了一种带隙基准电路、带隙基准芯片及电源管理芯片，该带隙基准电路包括启动电路和工作电路，启动电路包括启动支路和触发支路，启动支路包括第一启动开关管和第一NMOS管，第一启动开关管的控制端用于接收使能信号；触发支路包括第二NMOS管、第二启动开关管和第三启动开关管。当第一启动开关管收到使能信号，第一NMOS管管的漏极电压升高，触发第三启动开关管导通，进而触发第二启动开关管导通，输出端开始为工作电路充电，直至充电电流将第二NMOS管的栅漏极电压抬高，使第一NMOS管的电压降低，触发第三启动开关管关闭，工作电路进入正常工作模式。该启动电路的电路结构简洁高效，应用成本较低。

摘要： 本发明的宽带隙半导体装置，包括：宽间隙半导体层；以及金属层20，设置在所述宽间隙半导体层上，其中，所述金属层20在与所述宽间隙半导体层之间的界面的界面区域处具有单晶层21，在将构成所述金属层20的金属的平衡状态下的晶格常数设为L的情况下，所述界面区域处的所述单晶层21包含第一区域，该第一区域的晶格常数L1比L小1.5％～8％。

摘要： 本公开实施例公开了一种带隙基准核心电路、带隙基准源和半导体存储器，带隙基准核心电路包括：正温度系数单元、匹配单元和生成单元。其中，正温度系数单元，用于生成正温度系数电压；匹配单元分别连接正温度系数单元和生成单元，用于基于正温度系数电压生成第一初始电流，基于第一初始电流生成第二初始电流；匹配单元包括至少两个电阻；生成单元，用于基于第二初始电流生成基准电压；基准电压具有一阶零温漂系数。本公开能够减小电流镜的匹配误差，提高性能。

摘要： 本发明提供一种半导体基板之制造方法，可在将机械强度维持地较强的状态下形成功率损失低的原件。蚀刻方法是使用电浆化之蚀刻气体来进行蚀刻处理，以仅将配设于处理室(11)内之基台(15)上所载置之宽能隙半导体基板(W)中形成元件之区域加以薄板化，包含以下步骤：将蚀刻气体供给至前述处理室(11)内，并将该蚀刻气体电浆化；对前述基台(15)施予偏压电位，仅将前述宽能隙半导体基板(W)中形成元件之区域进行蚀刻而使其薄板化。