外电场作用下甲基乙烯基硅酮分子结构和电子光谱

摘要

采用密度泛函B3P86方法在6-311++G(d,p)基组水平上优化得到了沿分子轴方向不同外电场(0-0.04 a.u.)作用下,甲基乙烯基硅酮分子的基态电子状态、几何结构、电偶极矩和分子总能量.在优化构型下利用杂化CIS-DFT方法(CIS-B3P86)研究了同样外电场条件下对甲基乙烯基硅酮的激发能和振子强度的影响.计算结果表明,分子几何构型与电场大小呈现强烈的依赖关系,分子偶极矩μ随电场的增加先减小后急剧增大.电场为零时,分子总能量为-483.5532137 a.u.,随着电场增加,能量升高,在F=0.02 a.u.时达到最大值-483.5393952 a.u.,此后,继续增大电场系统总能量则开始降低.激发能随电场增加急剧减小,表明在电场作用下,分子易于激发和离解.