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过量镁掺杂的p-GaN的变温霍尔效应研究

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摘要

利用变温霍尔效应研究了过量镁掺杂p-GaN样品空穴浓度随温度变化以及迁移率与掺杂浓度的关系,指出了过量镁掺杂引起位错密度的增加是导致空穴载流子浓度随掺杂浓度增加而减少的主要原因.尽管适当增加镁的掺杂浓度可以提高样品中空穴的迁移率,但是超高的重掺杂将会导致样品中的空穴浓度和迁移率同时急剧下降.

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来源
《烟台大学学报：自然科学与工程版》 |2007年第2期|99-101|共4页
作者
周淑菊; 郭洪英; 孙元平; 林圣路;
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作者单位

山东师范大学物理与电子科学研究院;

烟台大学光电信息科学技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体性质;薄膜的性质;
关键词
霍尔效应; 重掺杂; p—GaN;

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