硒化镉(CdSe)单晶体的变温霍尔效应研究

摘要

通过变温(20～300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料.