变温霍尔效应测量浅掺杂n型锗半导体薄膜的电学特性

摘要

采用变温霍尔效应方法测量了浅掺杂n型锗薄膜的半导体电学特性.根据77K～400K温度范围内的变温霍尔效应测量,通过对实验数据曲线的分析,由lg(| RH |)-1/T曲线高温本征导电温区的斜率计算得到样品禁带宽度Eg=0.75eV,由lg(| RH | T3/4)-1/T低温杂质电离区的曲线斜率得到施主杂质电离能为Ei=0.012eV.