不同氮氧比对N掺杂ZnO:Al薄膜结构及光电性能的影响

摘要

采用射频磁控溅射技术,在不同氮氧比条件下,经过退火处理制备了N掺杂ZnO∶Al薄膜。对样品进行X射线衍射(XRD)、探针扫描显微镜(FAM)、透过率和电阻测试。结果表明:薄膜表面呈现柱状结构,当氮氧比为9∶1时,c轴择优取向最强。在可见光(500~800 nm)范围内,平均透过率都达到了90%以上。随着氮氧比增大,薄膜电阻先增大后减小,后又略微增大。当氮氧比由3∶1增加到9∶1时,由于N作为施主和受主掺杂的浓度不同,薄膜实现了由n型导电转变为p型导电。