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张华曹; 涂序梅;
不详;
开路电压; 载流子寿命; 半导体器件;
机译:载流子寿命长的超高压SiC p-i-n二极管的正向特性与温度的关系
机译:瞬态磁场下开路电压衰减下硅太阳能电池中少数载流子有效寿命的实验测量
机译:使用开路电压衰减方法比较CMOS光电二极管中TCAD模拟和测量的载流子寿命
机译:微波光电导衰减法测定块状SiC晶片的载流子寿命映射及其与结构缺陷的关系。
机译:衰减D(0为指数)正向于以p(-为指数)-正电子-v和D(+为指数)正向于以p(0为指数)-正电子- v。
机译:仅通过LC-MS / MS对组成型放射性同位素和载流子同位素同位素进行快速衰减PET示踪剂表征
机译:使用瞬态光电压衰减测量评估CdTe太阳能电池的有效载流子寿命
机译:少数载流子寿命测量的光电压衰减(pVD)方法的数学分析
机译:使用载流子衰减方法精确测量多余的载流子寿命
机译:开发的半导体组件可在不降低击穿电压的情况下大幅降低集电极-发射极电压以在额定电流下进行正向传导-具有第一掺杂区,中间区域将其分为后部和前部,并设计为可显着提高第一部分的少数载流子密度
机译:用生产出的零微波光导衰减模为少数载流子寿命为模
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