用MISS实现静态随机存取存贮器的研究

摘要

本文提出了一种新型静态随机存取存贮器。(SRAM)。它利用金属-绝缘体-半导体开关(MISS)的负阻特性来存贮信息。与现行的利用双稳态触发器作存贮电路构成的(SRAM)相比,单元电路可由六支管子减至两管(记为2-SRAM)。因而这种2-SRAM有利于提高SRAM的集成度,并且在理论上分析还有利于提高SRAM的存取速度。