静态随机存取存储器设计与实现关键技术研究

摘要

随着芯片集成度越来越高，容量要求越来越大，使得存储器在集成电路中所占面积比例越来越大，存储器对于系统性能的影响也越来越大，以至于存储器性能的提高成为一个极大的挑战。近年来，静态随机存取存储器（SRAM）的低功耗和快速数据存取的特点使其发展迅猛，如今SRAM尤其是高速SRAM在通讯领域的各项基础设施和通讯终端设备中被广泛应用。静态随机存取存储器（SRAM）促进了当今的高端便携消费电子产品热潮，但同时这也对SRAM的性能提出了更高的要求。所以对于大容量、高密度、高速度、低电压、低功耗和高可靠性的静态随机存取存储器（SRAM）的研究和设计具有重要的意义和价值。
　　本文通过分析静态随机存取存储器（SRAM）在当今集成电路设计中现状及发展，基于VLSI实验室的多个SRAM设计项目，研究了SRAM设计和实现过程中的关键技术。
　　本文首先分析了各种不同结构的SRAM基本存储单元的原理及特点，以及不同种类的SRAM电路结构及其特征，提出了它们的应用对于SRAM电路性能的影响。细化地研究了在SRAM电路设计过程中为提高芯片性能，需要特别设计的电路关键组成部分。提出SRAM全定制设计和实现的方法，并且研究了SRAM芯片设计过程中电路及版图的各种不同的仿真验证方法。最后研究了为提高SRAM芯片的可靠性和性能，在版图物理实现过程中可采用的方法和工艺。

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第一章 绪论

1.1论文背景及意义

1.2半导体存储器及其发展概况

1.3静态随机存取存储器（SRAM）研究现状及发展方向

第二章 静态随机存取存储器结构与工作原理

2.1存储器的总体结构

2.2 SRAM存储单元结构

2.3 SRAM存储器结构

2.4 SRAM存储器工作原理

第三章 静态随机存取存储器关键模块结构研究与电路设计

3.1 SRAM存储阵列的设计

3.2分级地址译码器设计

3.3灵敏放大器设计

3.4预充电电路设计

第四章 静态随机存取存储器项目设计与仿真验证技术

4.1 SRAM全定制设计

4.2 SRAM仿真验证技术

第五章 静态随机存取存储器提高性能与可靠性设计的物理实现

5.1电源网络的设计与实现

5.2 ESD保护电路

5.3静态随机存取存储器（SRAM）抗辐照物理实现方法

第六章 结论

致谢

参考文献

攻硕期间取得的研究成果