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孟宪权; 任大志;
不详;
环形磁控制射; 生长速率; 厚度; 薄膜; 超导体;
机译:ALD在100℃和350℃之间生长的HfO_2薄膜的层生长速率,厚度均匀性,化学计量和氢杂质水平的相关性研究
机译:通过摆动旋转运动改善薄膜厚度均匀性和成膜颗粒入射角均匀性
机译:直流和射频磁控溅射法研究Cu纳米薄膜的生长速率的实验研究
机译:根据流动几何形状的磁控溅射表面层厚度均匀性研究
机译:表征次核的生长速率和生长速率弥散随过饱和度的变化。
机译:电铸过程中改善微流控芯片模具厚度均匀性的研究
机译:高转变温度铜氧化物薄膜的磁控溅射和激光成膜
机译:脉冲激光沉积法制备薄膜厚度均匀性的研究
机译:可以将两种模式的磁通量分布(平衡模式/不平衡模式)从一种切换到另一种的磁控溅射装置,以及一种使用该装置由无机成膜材料形成膜的成膜方法,以及一种双模式磁控溅射装置及成膜方法,使用该装置由无机成膜材料在低温下成膜
机译:可以切换两种磁通分布模式(平衡模式/非平衡模式)的磁控溅射设备,使用该设备和双模式磁控溅射设备形成无机成膜材料的膜的成膜方法,以及使用该装置在低温下形成膜的无机成膜材料的成膜方法
机译:磁控溅射装置,用于使用该装置的无机薄膜材料的磁通量配置(平衡型/非平衡型)可切换成膜方法,以及用于非磁性薄膜的双型磁控溅射装置和成膜方法成型B
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