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罗佳亮; 李垚;
中国科学技术大学物理系,安徽合肥,230026;
单电子; 主方程; 隧穿电容; 非对称性;
机译:外部结电容与内部结电容不同的单共栅三点单电子器件的稳定性图和旋转门操作
机译:单共栅三点单电子器件,其侧栅电容大于中心电容
机译:具有不对称连接电容的共通用栅极四重点单电子器件中的异常单电子传输
机译:多点单电子器件中点的三维结构的栅极电容的非渗透
机译:动态隧穿力显微镜和单电子隧穿力谱
机译:二维MS-EMC纳米器件模拟器中S / D隧穿模型的量子增强:NEGF比较和有效质量变化的影响
机译:扫描探针显微镜中的应用和进展。通过扫描隧穿显微镜(STM)/原子力显微镜(AFM)制造的单电子器件的研制。
机译:模拟p(向上箭头)p(产量)(pi)(sup(+ - ),0)X反应中的单自旋不对称性
机译:单电子器件,制造单电子器件的方法,制造包括单元阵列的单元阵列的方法以及包括单电子器件的单电子器件
机译:热电子器件和共振隧穿热电子器件
机译:单电子隧穿力谱和动态隧穿力显微镜的高度控制方法
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