非对称性隧穿势垒的单电子器件的存储特性电路模拟

摘要

本文介绍了非对称性势垒单电子管（ATBs）的电路模拟和特性，以及采用准经典的Monte Carlo方法对Ge／Si复合纳米结构量子点MOSFET内存的电路模拟，得出由于台阶状复合势垒的作用，在擦写时间保持μs和ms量级的同时，存储时间可长达数年。从而解决了快速编程与长久存储之间的矛盾。