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周郁明; 靳爱津; 冯德仁;
安徽工业大学电气信息学院 安徽 马鞍山 243002;
能级; 漏电流; 光导开关; 碳化硅;
机译:SiCGe / SiC异质结的开关特性:带有电荷补偿层的光触发横向功率晶体管
机译:钒掺杂在补偿和半绝缘SiC器件应用中的SiC外延层中的应用
机译:钒补偿,半绝缘,垂直6H-SIC PCS的可扩展通用电路模型
机译:钒掺杂的4H-SiC的光导纳光谱表征
机译:氢对(alpha(2)+ B2)钛25%铝-10%铌-3%钒-1%钼铝化钛合金的微观结构和拉伸性能的影响的研究。
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
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机译:基于4H-siC的BJT到200℃的静态和开关特性
机译:NU和PI型NU PI SI SIC钒补偿的SI SIC单晶及其晶体生长过程。
机译:掺钒SiC块状单晶的制备方法及掺钒SiC衬底
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