钒掺杂形成半绝缘6H-SiC的补偿机理(英文)

摘要

研究了钒掺杂生长半绝缘6 H-SiC的补偿机理.二次离子质谱分析结果表明,非故意掺杂生长的6 H-SiC中,氮是主要的剩余浅施主杂质.通过较深的钒受主能级对氮施主的补偿作用,得到了具有半绝缘特性的SiC材料.借助电子顺磁共振和吸收光谱分析,发现SiC中同时存在中性钒( V4 +)和受主态钒( V3 +)的电荷态,表明掺入的部分杂质钒通过补偿浅施主杂质氮,形成受主态钒,这与二次离子质谱分析结果相吻合.通过对样品进行吸收光谱和低温光致发光测量,发现钒受主能级在6 H-SiC中位于导带下0.62eV处.