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雷珍琳; 史中海; 裴志军; 王雅欣;
天津职业技术师范大学电子工程学院,天津300222;
平面栅技术; 导通电阻; 开关损耗; 屏蔽沟道场效应晶体管;
机译:双栅部几何对低功率数字设计碳纳米管场效应晶体管结构性能的影响
机译:氮化硅Sio_x薄膜的结构和电性能之间的相关性用作功率金属氧化物半导体场效应晶体管栅电介质
机译:氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译:具有高K栅极电介质和按比例缩放的栅-漏/栅-源分隔的超薄体平面InGaAs量子阱场效应晶体管中3-D三栅的静电改善
机译:设计和生产采用HIGFET技术的高速采样器(具有异质结构和隔离栅的场效应晶体管)。
机译:基于MoS2纳米圆盘的背栅场效应晶体管的制备和电性能
机译:双栅极场效应晶体管:平面双栅纸/氧化物场效应晶体管作为通用逻辑门(ADV。电子。Matter。12/2018)
机译:互补Gaas结栅控异质结构场效应晶体管技术
机译:具有双倍栅氧化层厚度的垂直导电和平面结构的MOS器件以及实现具有改善的静态和动态性能以及高比例缩小的密度的功率垂直MOS晶体管的方法
机译:具有双倍栅氧化层厚度的垂直导电和平面结构的MOS器件以及实现具有改善的静态和动态性能以及高按比例缩小密度的功率垂直MOS晶体管的方法
机译:厚度为两倍的栅氧化层的垂直导电和平面结构的MOS器件及实现具有改善的静态和动态性能以及高缩放密度的功率垂直MOS晶体管的方法
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