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InGaAs/InP量子阱材料生长后置无序技术的研究

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摘要

研究了氖离子注入诱导InGaAs/InP量子阱材料带隙变化的规律. 研究结果表明,由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移. 蓝移的大小与量子阱的宽度,阱距表面深度,注入离子剂量,能量,及退火条件有关. 研究所得的参数对设计量子阱集成光器件有重要参考价值.

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来源
《天津师范大学学报（自然科学版）》|2000年第1期|26-32|共7页
作者
王永晨; 赵杰; 范懿; 武丽;
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作者单位

天津师范大学物理系,天津,300074;

天津师范大学物理系,天津,300074;

天津师范大学物理系,天津,300074;

天津师范大学物理系,天津,300074;

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正文语种 chi
中图分类表面物理学;
关键词
量子阱; 离子注入; 带隙蓝移;

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