Cap Layer Influence on Impurity-Free Vacancy Disordering of InGaAs/InP Quantum Well Structure

著录项

• 来源
  《中国物理快报：英文版》 |2010年第1期|P.221-223|共3页
• 作者

  安宇鹏; 杨华; 梅霆; 王一丁; 滕京华; 许呈栋;

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• 作者单位

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• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 CHI
• 中图分类 TN304.23;
• 关键词

  磷化铟; 量子井; 砷化铟镓; 无序; 杂质; 结构层; 上限; InGaAs;

  机译：磷化铟;量子井;砷化铟镓;无序;杂质;结构层;上限;InGaAs;