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丁辛芳;
东南大学微电子中心;
pH-ISFET; 传感器; 表面基; 敏感特性; 化学传感器;
机译:N2和O2退火对Al2O3 / Si3N4 / SiO2 / Si存储器栅堆叠完整性的比较
机译:SiO2 / Si3N4硬掩模对金属栅刻蚀性能的影响
机译:一种使用扩展栅场效应晶体管和SiO2 / Si模板上制备的Ga2O3纳米线的新型pH传感器
机译:用于pH传感器应用的ISFET的单栅和多指栅的特性
机译:动态偏卤素系统中ISFET pH传感器性能的评价
机译:离子敏感场效应晶体管(ISFET)pH电极:用于长期动态pH监测的新型传感器。
机译:一种以大孔硅为基质材料,以SiO2 / LPCVD-Si3N4双层作为pH传感器的(生物)化学场效应传感器
机译:开发用于深海高压应用的集成IsFET pH传感器。
机译:场效应晶体管(ISFET),选择性离子工艺可为ISFET的源极和漏极区域,ISFET传感器的探头和pH ISFET提供电接触。
机译:ISFET和ISFET探针以及ISFET pH传感器使用相同的
机译:--ISFET探针制造和测量系统设计技术,用于ISFET传感器的静电放电保护
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