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论文说明:插图索引
湖南大学学位论文原创性声明及版权使用授权书
第1章绪论
1.1 ISFET传感器简介
1.1.1 ISFET器件结构
1.1.2 pH-ISFET的敏感机理
1.1.3器件特性
1.1.4器件种类
1.2研究现状
1.2.1敏感材料的选择
1.2.2 ISFET与CMOS工艺兼容性的研究
1.2.3集成化设计的研究
1.3本文研究目的及内容
第2章pH-ISFET的敏感机理
2.1电解液绝缘体半导体(E-I-S)系统表面基理论简介
2.2 E-I界面表面基/复合中心模型理论
2.2.1单种两性表面基情形
2.2.2两种类型表面基情形
2.2.3 E-1界面电荷与电势关系
2.3模拟计算及结果
2.3.1 E-I-S系统方程组
2.3.2模拟计算结果
2.3.3结果讨论
2.4小结
第3章pH-ISFET行为模型的建立
3.1 MOSFET元件
3.2 ISFET元件
3.2.1 ISFET的阈值电压
3.2.2电流电压特性
3.2.3温度特性
3.3 ISFET等效电路
3.4 SPICE模型的描述
3.4.1模型参数的确定
3.4.2模型描述
3.5 HSPICE模拟及结果讨论
3.5.1 pH灵敏度响应
3.5.2温度特性
3.6小结
第4章pH-ISFET传感器的CMOS工艺实现
4.1 CMOS工艺概述
4.2与CMOS工艺相匹配的“三明治”栅pH-ISFET
4.3实验测量及其结果
4.3.1测量系统
4.3.2测量结果
4.4小结
第5章信号读取电路的设计
5.1 ISFET读取电路形式概述
5.1.1“差分对管”结构形式
5.1.2“漏源跟随”结构形式
5.2硅衬底“体效应”
5.3“ISFET/MOSFET互补对”读取电路形式
5.3.1栅极反馈形式
5.3.2源极反馈形式
5.4运算放大器电路的设计
5.4.1设计指标
5.4.2电路结构
5.4.3运算放大器整体性能分析
5.5仿真分析
5.5.1电路仿真模型
5.5.2运放直流传输特性分析
5.5.2运放交流小信号分析
5.5.3运放转换速率分析
5.5.4运放共模抑制比分析
5.5.5运放温度扫描分析
5.6小结
第6章pH-ISFET及信号读取电路的版图设计及验证
6.1设计工具简介
6.1.1版图编辑工具(Layout Editor)
6.1.2物理验证工具-Assura
6.2绘制版图
6.2.1生成技术库文件
6.2.2 ISFET敏感元件的版图
6.2.3运算放大器版图的绘制
6.3版图验证及后仿真
6.3.1直流传输特性分析
6.3.2运放交流小信号分析
6.3.3灵敏度分析
6.4小结
结论
参考文献
致谢
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