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MEMS工艺制备pH-ISFET/REFET功能膜研究

         

摘要

微电子技术的快速发展,促使硅基传感器向着集成化、微型化、可批量加工方向发展.对于pH-ISFET集成芯片而言,如何以MEMS工艺制备性能优良的pH功能膜,是其发展的关键.目的:以适合批量加工的MEMS工艺研制pH功能膜;方法:在小尺寸集成芯片的基础上,以MEMS工艺分别制备Ta2O5材料的pH敏感膜,PTFE材料的pH钝化膜; 结果:在pH1~12范围内,Ta2O5膜pH-ISFET对H+的灵敏度达56 mV/pH,PTFE膜REFET对H+的响应仅为0.13 mV/pH;结论:采用MEMS工艺,可对以标准CMOS技术加工的ISFET集成芯片系统,进行后续加工,从而实现传感器芯片系统的全过程批量加工.

著录项

  • 来源
    《电子器件》 |2007年第3期|741-744|共4页
  • 作者单位

    中国科学院电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080;

    中国科学院研究生院,北京,100049;

    中国科学院电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080;

    中国科学院电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080;

    中国科学院研究生院,北京,100049;

    中国科学院电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080;

    中国科学院电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TP212;
  • 关键词

    离子敏场效应管; 功能膜; 微电子机械系统; 五氧化二钽; 聚四氟乙烯;

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