MEMS器件深腔金属引线制备工艺研究

摘要

为解决在MEMS器件深腔结构中出现的引线断裂问题，提出了一种W／WNx／Cr／Au四层金属引线制作方法，解决了Au扩散和深腔结构中引线断裂的问题。通过选择喷胶法，选择最合适的光刻参数，解决深腔金属引线光刻难题，制备得到W／WNx／Cr／Au四层金属引线，该引线具有低电阻率、高稳定性等优点，完全满足MEMS器件引线连接要求。