新型pH-ISFET芯片系统研究

汪祖民; 任振兴; 韩泾鸿; 边超; 杨海钢; 夏善红

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新型pH-ISFET芯片系统研究

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该文研究设计一种新型ISFET/REFET/PRE传感器与信号检测电路集成于一体的芯片系统.采用商业标准CMOS工艺实现了基础集成芯片,探索研究与集成芯片兼容的敏感薄膜制备技术及其相关后续工艺,着重研究电聚合法制备的H+敏感PPy膜;与采用低温Ta2O5敏感薄膜技术研制的集成芯片进行了比较.集成芯片具有灵敏度54mV/pH,响应时间0.1s,在pH1～12范围内线性相关系数99.99%的优良性能.

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来源
《电子与信息学报》 |2007年第10期|2525-2528|共4页
作者
汪祖民; 任振兴; 韩泾鸿; 边超; 杨海钢; 夏善红;
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作者单位

中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080;

中国科学院研究生院,北京,100049;

中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080;

中国科学院研究生院,北京,100049;

中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080;

中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080;

中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080;

中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TP212;
关键词
离子敏场效应管; 片上系统 ; 聚吡咯 ; 五氧化二钽; 敏感膜 ;

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