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牛蒙年; 丁辛芳; 童勤义;
东南大学微电子中心;
中科院上海冶金所传感技术国家重点实验室;
氮化硅; 绝缘栅; 表面基模型; pH-ISFET器件;
机译:超薄Al_2O_3 / Si_3N_4双层AlGaN / GaN绝缘栅异质结构场效应晶体管中栅电流泄漏优异抑制效果的机理
机译:具有再生长欧姆结构的Al_2O_3 / Si_3N_4绝缘栅AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的RF和DC特性
机译:Al_2O_3 / Si_3N_4绝缘栅AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的直流和射频特性
机译:两种表面部位对Si / sub 3 / N / sub 4 /栅pH-ISFET的特性的影响
机译:对绝缘体上硅CMOS器件和电路(包括双栅MOSFET)的基于过程的紧凑建模和分析。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:具有高kappa / SiO2栅叠层的完全耗尽绝缘体上硅器件中的远程表面粗糙度散射
机译:Inp上的64位800-mHz绝缘栅CCD(电荷耦合器件)
机译:绝缘栅型半导体器件及其可靠性和特性不会因按压而降低,并且使用该绝缘栅型半导体器件的功率逆变器
机译:具有栅绝缘膜的半导体器件及其制造方法,该栅绝缘膜具有覆盖外延突起的表面的较厚部分。
机译:用于绝缘栅晶体管的驱动电路和半导体器件,具有绝缘栅晶体管的开关电路,具有绝缘栅晶体管的感应电动机系统,过电流检测方法和用于绝缘栅晶体管的电路
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