H离子和电子在材料Pm、Nd和Sm中的电离阻止本领

摘要

离子在物质中的阻止本领是离子与物质相互作用研究的一个重要内容，同时也是进行离子注入材料改性、离子束表面分析和其它离子束技术应用的一个重要参数．本工作从理论模拟的角度．对Pm、Nd和Sm材料受到的辐射损伤进行了研究，利用SRIM2003软件计算了0～120keV间的H离子在Pm、Nd和Sm材料中的电离阻止本领，从理论上得到了不同能量的电子在Pm、Nd和Sm中的渗透深度．