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范春丽; 余成龙; 龙觉敏; 赵朝会;
上海电机学院电气学院,上海201306;
SiC金属氧化物半导体场效应晶体管; 双脉冲测试电路; 寄生参数; 开关特性;
机译:寄生参数对SiC MOSFET的开关特性和布局设计注意事项的影响
机译:中子辐照对高压4H-SiC p型栅极截止晶闸管的静态和开关特性的影响
机译:沟槽底部屏蔽区对4H-SiC双沟道MOSFET开关特性的影响
机译:寄生参数对TRENCHSTOP?5 IGBT的开关特性和SOA的影响
机译:SiC / SiC纤维增强复合材料:加工,机械性能和相变的影响
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸,用于改善开关特性
机译:基于4H-siC的BJT到200℃的静态和开关特性
机译:碳化硅碳化硅去除SiC种子晶体上受影响的层的方法SiC种子晶体和SiC基质制造方法
机译:去除SiC籽晶的影响层的方法,SiC籽晶的制造方法及SiC衬底
机译:去除SiC晶种,SiC晶种和SiC基质制造方法中影响加工的层的方法
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