SiC MOSFET串扰电压的计算、寄生参数提取和驱动参数整定方法

摘要

本发明公开SiC MOSFET串扰电压的计算、寄生参数提取和驱动参数整定方法，属于宽禁带半导体器件驱动技术领域。本发明所构思的技术方案，简化了考虑共源电感的SiC MOSFET串扰电压模型，并将其与实际串扰电压抑制方法结合，通过优化求解的方法找到串扰电压抑制效果最好的驱动回路集中参数组合，大大减少了硬件调试阶段因反复更换元件进行双脉冲测试所消耗的时间与器件，提高硬件设计效率，简化参数整定流程。