考虑寄生参数的SiC MOSFET损耗计算方法研究

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致谢

1 绪论

1.1 研究背景及意义

1.2 国内外研究现状

1.2.1 SiC 器件发展及应用现状

1.2.2 SiC器件寄生参数研究现状

1.2.3 SiC器件损耗计算方法研究现状

1.3 论文内容及结构

2 考虑寄生参数的SiC MOSFET 开关模型

2.1 SiC MOSFET寄生参数模型

2.2 SiC MOSFET开关模型

2.2.1 开通过程建模

2.2.2 关断过程建模

2.3 开关模型验证

2.3.1 功率回路寄生电感估算

2.3.2 Pspice器件建模

2.3.3 双脉冲实验及模型验证

2.4 寄生参数对开关过程影响分析

2.4.1 寄生电容对开关过程的影响

2.4.2 寄生电感对开关过程的影响

2.5 本章小结

3 SiC MOSFET 损耗计算方法研究

3.1 开关损耗计算方法

3.1.1 积分法

3.1.2 能量守恒法

3.1.3 开关损耗计算方法的比较分析

3.2 开关损耗影响因素分析

3.2.1 结温的影响分析

3.2.2 寄生参数的影响分析

3.3 Si MOSFET和SiC MOSFET开关损耗对比分析

3.3.1 基本特性对比

3.3.2 开关特性及开关损耗对比

3.4 通态损耗计算方法

3.5 本章小结

4 全SiC 器件LLC 充电机损耗计算方法验证

4.1 LLC变换器原理及损耗分析

4.1.1 工作原理分析

4.1.2 损耗分析

4.2 半桥LLC充电机系统参数设计

4.2.1 主电路参数设计

4.2.2 控制系统设计

4.2.3 仿真验证

4.3 轻载工况实验验证

4.4 本章小结

5 结论与展望

5.1 结论

5.2 展望

参考文献

作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果

独创性声明

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