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InP基近红外波段量子线激光器的电致发光谱

         

摘要

制备了InP基近红外波段量子线激光器,在改变注入条件的室温连续电致发光谱测试中,观察到了不同于带填充效应的谱型变化.低激励时,高能峰先出现;随激励电流增加,高能峰减弱并随后消失,同时低能峰出现并激射.认为激光器随注入电流的增加表现出的这种特殊的激射谱,是由自组织纳米结构尺寸的不均匀分布引起的.

著录项

  • 来源
    《半导体学报》 |2007年第z1期|457-459|共3页
  • 作者单位

    中国科学院半导体研究所;

    半导体材料科学重点实验室;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    半导体材料科学重点实验室;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    半导体材料科学重点实验室;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    半导体材料科学重点实验室;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    半导体材料科学重点实验室;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    半导体材料科学重点实验室;

    北京;

    100083 中国科学院半导体研究所;

    半导体材料科学重点实验室;

    北京;

    100083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体激光器件;
  • 关键词

    InAs量子线; InP基; 激光器; 激射谱;

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