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陈效双; 万明芳; 刘兴权; 窦红飞; 陆卫; 沈学础;
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室;
砷化镓; 镓铝砷化; 阳极氧化; 量子线; 荧光;
机译:阳极氧化物在GaAs-AlGaAs量子阱和量子线结构中的混合
机译:GaAs脉冲阳极氧化,实现GaAs / AlGaAs量子阱的无杂质互扩散
机译:通过脉冲阳极氧化和快速热退火将具有侧壁量子阱的V型槽GaAs / AlGaAs量子线混合在一起
机译:半填充AlGaAs / GaAs二维电子系统中的量子输运
机译:低温封顶对GaAs / AlGaAs量子阱光学性质的影响
机译:阳极氧化物诱导的Gaas-alGaas量子阱和量子线结构的混合
机译:结构紊乱对Gaas / alGaas量子线电子态的影响
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:/异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译:形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构
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