室温全电可操作的InAs/GaAs量子点存储器

杜军; 王卿璞; Balocco C; Song A M

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室温全电可操作的InAs/GaAs量子点存储器

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报道基于高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的InAs/GaAs量子点存储器,它既可以在室温下工作,又可以完全由栅极电压来控制其存储状态.在室温下通过对InAs/GaAs量子点存储器的延滞回线、偏压降温C-V等特性的实时测试,证明了其存储机理是由量子点层的深能级引起的,而并非是由量子点本征能级的充、放电所造成的.

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来源
《半导体学报》 |2006年第2期|363-367|共5页
作者
杜军; 王卿璞; Balocco C; Song A M;
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作者单位

山东大学物理与微电子学院;

School of Electrical and Electronic Engineering;

University of Manchester;

Manchester M60 1QD;

UK;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O472.4;
关键词
1nAs/GaAs量子点; 存储器; 偏压降温; 深能级;

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