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肖清华; 屠海令;
北京有色金属研究总院;
硅锗合金; 低温离子注入; 快速热处理; 卢瑟福背散射技术; 二次离子质谱技术;
机译:通过快速热处理激活注入的P和B在多晶硅中的活化和再分布
机译:LSA后快速热退火过程中氟共注入对锗预非晶硅中硼扩散的影响
机译:硅中低温BSi分子离子注入的快速热退火后的硼深度分布和残余损伤
机译:通过氧气和真空退火后,在低温表面饱和后在氢气注入的硅晶片中将氧气吸收到埋入的缺陷层上
机译:13CR-4NI合金蠕变行为的研究,以模拟焊接后热处理过程中的残余应力再分布= 13CR-4NI合金蠕变行为的研究血清ang剩余ST的演变
机译:硅基硅锗锗异质结构光子学
机译:离子注入硅作为可行的太阳能电池技术的快速热处理:最终报告
机译:抑制砷离子注入后硅晶片中晶体缺陷形成的方法
机译:离子注入硅快速热处理RTP的方法
机译:离子注入硅的快速热处理方法。
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