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GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱

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采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在表征 Ga

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来源
《半导体学报》 |2000年第5期|437-440|共4页
作者
姚冬敏; 辛勇; 王立; 李述体; 熊传兵; 彭学新; 刘念华; 江风益;
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作者单位

南昌大学材料科学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
RBS/沟道; X射线; 双晶衍射; 光致发光; 氮化镓;

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