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靳彩霞; 凌震; 诸长生; 俞根才; 王杰; 赵国珍;
复旦大学应用表面物理国家重点实验室;
上海材料研究所;
Ⅱ-Ⅵ族; 四元合金; ZnMgSSe; 化合物半导体;
机译:通过光透射测量确定MgS和富MgS的Zn_(1-x)Mg_xS_ySe_(1-y)合金的带隙
机译:Zn_(1-x)Mg_xS_ySe_(1-y)合金的结构和电子性能
机译:氮掺杂的P型Znse,P型Zns_yse_(1-y)和P型Zn_(1-x)mg_xs_yse_(1-y)外延受体的激子和给体-受体对的活化能Gaas(1 0 0)衬底上生长的薄膜
机译:禁带边缘:高效硫族化物器件中的禁带渐变和禁带边缘波动的作用
机译:宽 禁带半导体 基础的 电源转换器 的可靠性 和 拓扑 调查
机译:砷化镓砷酸镓合金的禁带抗穿越模型
机译:pb sub 1-x Cd sub x s合金的成分紊乱和带间跃迁。
机译:确定玻璃三元玻璃硫化物和可变成分A x Sub>(B y Sub> C 1-y Sub>) 1-x Sub>
机译:宽禁带半导体带隙电子性能测量方法和宽禁带半导体带隙电子性能测量装置
机译:Al y Ga 1-y As 1-x Sb中的晶格常数分级。亚合金系统
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