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MOCVD实现InGaAsP波导对接生长的研究

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采用低压MOCVD技术,通过对接界面和对接工艺的优化,获得了高质量的InGaAsP材料构成的对接波导,测量得到的对接波导光学损耗为7cm-1,说明该技术可以用来制作高质量的光电子集成器件.

著录项

来源
《半导体学报》 |2008年第6期|1177-1179|共3页
作者
张瑞康; 董雷; 余永林; 王定理; 张靖; 陈磊; 江山;
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作者单位

武汉光迅科技股份有限公司;

华中科学技术大学武汉国家光电实验室;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
MOCVD; 对接生长; 波导;

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