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张国强; 陆妩; 范隆; 余学锋; 郭旗; 任迪远; 严荣良;
中国科学院新疆物理研究所;
MOS器件; 可靠性; 注入; 氟;
机译:基于HfO_2的MOS器件的可靠性和栅极传导变异性:结合纳米级和器件级研究
机译:通过高k栅介质中的陷阱分布分析研究MOS器件的可靠性
机译:高温应用中4H-SiC MOS器件可靠性的研究
机译:HfO2 / AlN / In0.53Ga0.47As MOS器件的电性能和可靠性研究
机译:研究氧化物击穿,热载流子和NBTI对MOS器件和电路可靠性的影响。
机译:Al2O3 / GaN MOS器件深耗尽区中通过电导方法研究体陷阱
机译:位错对siC mOs器件中栅氧化层和高可靠性ONO电介质的影响
机译:与金属氧化物半导体(mOs)器件可靠性相关的绝缘薄膜物理研究
机译:使用富硅等离子体氧化膜的MOS器件的器件可靠性
机译:半导体晶片上MOS器件氧化膜的可靠性评估方法。
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