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吕振东; 杨小平; 袁之良; 徐仲英; 郑宝真; 许继宗; 陈弘; 黄绮; 周均铭; 王建农; 王玉琦; 葛惟昆;
半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所;
中国科学院物理研究所;
香港科技大学物理系;
自组织生长; 砷化铟; 量子点发光; 温度特性;
机译:MOCVD生长的InGaAs应变缓冲层上自组织InAs量子点的温度依赖性光致发光
机译:InAs量子点上自组织棒生长形成InAs / AlGaAs / GaAs纳米线结构及其传输特性
机译:分子束外延生长的堆叠式InAs自组装量子点结构的异常温度依赖性光致发光特性
机译:通过分子束外延生长的堆叠INAS自组装量子点结构的异常温度依赖性光致发光特性
机译:GaAs(100)上应变InAs岛量子盒的分子束外延生长:生长动力学,垂直自组织和激光特性
机译:温度对在图案化GaAs上生长的单个InAs量子点的光致发光特性的影响
机译:在错误定向衬底上生长的自组织Inas / Gaas量子点的光致发光衰减时间测量。
机译:使用从该方法获得的量子点生长量子点的发光方法和发光装置
机译:使用具有相同能力以改善光学增益和温度特性的图案化应变层和量子点半导体器件制造量子点的方法
机译:激发区包括在Si衬底上生长的基质晶体中的纳米点(也称为“量子点”),该激发点由具有闪锌矿结构(也称为“立方”)的AlyInxGa1-y-xN晶体(y≥0,x> 0)制成。以及通过使用其获得的发光器件(LED和LD)
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