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温度对ULSI硅衬底化学机械抛光去除速率及动力学的控制

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摘要

对材料表面化学机械高精密加工的动力学过程及控制过程进行了深入研究.根据大量实验总结出了CMP的七个动力学过程,在ULSI衬底单晶硅片的CMP研究过程中,确定了在相同机械作用条件下由温度引起的化学过程为CMP控制过程,对影响化学反应的关键因素进行了有效的优化,实现了多材料CMP速率的突破性提高.

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来源
《半导体学报》 |2007年第z1期|62-66|共5页
作者
刘玉岭; 牛新环; 檀柏梅; 王胜利;
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作者单位

河北工业大学信息工程学院;

微电子研究所;

天津;

300130 河北工业大学信息工程学院;

微电子研究所;

天津;

300130 河北工业大学信息工程学院;

微电子研究所;

天津;

300130 河北工业大学信息工程学院;

微电子研究所;

天津;

300130;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类表面处理;
关键词
化学机械抛光; 动力学过程; 控制过程; 硅衬底; 去除速率; 抛光温度;

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