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张楷亮; 刘玉岭; 王芳; 李志国; 韩党辉;
河北工业大学微电子技术与材料研究所;
天津理工学院光电信息系;
硅衬底; 化学机械抛光(CMP); ULSI; 纳米研磨料; 动力学过程;
机译:应用于GaN基LED衬底的大直径硅晶圆化学机械抛光中焊盘表面粗糙度对去除速率的影响
机译:用于外延衬底的高硼掺杂硅晶片的高精度化学机械抛光
机译:超大型系统集成(ULSI)中铜化学机械抛光(CMP)和CMP后清洗的综述-电化学角度
机译:ULSI硅衬底CMP去除率稳定性研究
机译:用于毫米波应用的硅锗虚拟衬底生长和硅(1-y)锗(y)/硅(1-x)锗(x)/硅(1-y)锗(y)HBT。
机译:通过无金属催化剂工艺在硅衬底上生长外延硅纳米线
机译:纳米siO2在ULsI硅基化学机械抛光过程中的作用研究
机译:冶金硅衬底上的硅薄膜 - 阶段II。第2号专题报告。冶金硅的纯化和表征
机译:浅沟槽隔离生产,特别是在VLSI或ULSI制造中的硅晶片中,涉及使用具有悬吊通道的化学机械抛光支架套筒进行绝缘层平面化
机译:含晶硅衬底的衬底,其制造方法以及使用含晶硅衬底的衬底的硅器件
机译:用于半导体器件的绝缘体上硅衬底或无衬底上硅衬底的制造包括在限定和掩蔽有源区并形成沟槽之后,在硅层和初始衬底之间形成隧道。
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