pH值对ULSI硅衬底抛光速率的影响

摘要

ULSI制造技术进一步向高集成、低成本方向迅速发展.如何保证ULSI衬底加工中的更高平整、更低粗糙度与低成本是目前微电子进一步发展中的关键技术.化学机械抛光法(CMP)是目前公认的全局平面化最好的方法.由此我们对ULSI硅衬底进行了循环抛光试验,并对每次抛光液循环使用后的去除速率及pH值进行了测定,结果发现pH值随循环次数的增加呈缓慢降低的趋势,而抛光速率在一定的pH值范围内并不随pH的变化而变化,这说明在硅衬底的CMP过程中化学机械反应是复杂的过程,分主反应和次反应,而主反应应是催化反应,次反应是氧化还原反应,本文对该理论进行了具体的讨论.