首页> 中文期刊> 《半导体学报》 >沟道应力对纳米尺度MOSFET器件特性的影响

沟道应力对纳米尺度MOSFET器件特性的影响

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

利用ISE DESSIS器件模拟工具,模拟了纳米尺度的MOSFETs器件沟道中存在应力时的器件特性,分析了应力大小和方向发生变化对MOSFET的阈值电压、亚阈特性等器件特性的影响.

著录项

来源
《半导体学报》 |2006年第z1期|415-418|共4页
作者
吴涛; 杜刚; 刘晓彦; 康晋锋; 韩汝琦;
展开▼
作者单位

北京大学微电子学系;

北京;

100871 北京大学微电子学系;

北京;

100871 北京大学微电子学系;

北京;

100871 北京大学微电子学系;

北京;

100871 北京大学微电子学系;

北京;

100871;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
MOSFET; 应力; 深亚微米; 形变势垒模型;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究 [J] . 常虎东 ,孙兵 ,卢力 . 物理学报 . 2012,第021期
2. 短沟道MOSFET器件特性的理论研究 [J] . 薛严冰 ,李晖 . 大连交通大学学报 . 2005,第002期
3. 温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响 [J] . 于杰 ,王茺 ,杨洲 . 人工晶体学报 . 2013,第5期
4. Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响 [J] . 杨洲 ,王茺 ,王洪涛 . 物理学报 . 2011,第007期
5. 不同沟道长度对n沟MOSFET退化特性的影响 [J] . 黄美浅 ,朱炜玲 ,章晓文 . 微电子学 . 2005,第5期
6. 沟道应力对纳米尺度MOSFET器件特性的影响 [C] . 吴涛 ,刘晓彦 ,杜刚 . 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 . 2005
7. GaN基FinFET器件中纳米沟道形貌对电学特性的影响 [A] . 季子路 . 2018

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号