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杨晶晶; 何秀坤; 曹全喜; 施亚申;
西安电子科技大学;
天津电子材料研究所;
自由载流子浓度; FCCS; 施主; 受主; 补偿度; 分布函数;
机译:电化学沉积CdTe膜的电阻率,载流子浓度和载流子迁移率
机译:退火温度对磁控溅射沉积氮浓度ZnO薄膜载流子浓度,载流子迁移率和质量的影响
机译:Czochralski生长的n型和p型Si_xGe_(1-x)(0.93
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机译:渐新并单晶中载流子迁移率的飞行时间研究
机译:限制高霍尔迁移率非常薄的掺Sn的In2O3薄膜中载流子输运的因素的新见解
机译:金掺硅中的终生电阻率和载流子
机译:半导体单晶载流子浓度和迁移率的测量装置
机译:硅单晶中氮浓度的计算方法和电阻率漂移量的计算方法
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