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孙加兴; 叶甜春; 陈大鹏; 谢常青; 伊福庭;
中国科学院微电子中心;
中国科学院高能物理研究所;
X射线光刻; PHEMT; T型栅; 三层胶工艺;
机译:使用SF_6 / O_2等离子清洁技术减少蚀刻缺陷并优化光刻胶掩膜栅多晶硅蚀刻工艺中的蚀刻配方
机译:制作工艺对双图案制造的深紫外钨丝栅偏光片的影响
机译:基于同步加速器的近距离X射线光刻技术,用于T形门的新型ZEP520 / P(MMA-MAA)/ ZEP520三层工艺
机译:双栅,三层和垂直ZnO TFTS和电路。
机译:儿茶素富型菌籽提取物对LPS刺激的原料264.7细胞和角叉菜胶诱导的爪子水肿的抑制作用
机译:飞秒激光光刻技术在正性光刻胶上制造亚微米T型栅
机译:用于亚100nm通道长度晶体管的X射线光刻技术,采用常规光刻,各向异性蚀刻和斜阴影制作的掩模
机译:制作三层多晶硅闪存EEPROM阵列的方法,该阵列具有针对每行浮栅的独立擦除栅
机译:X射线光刻光刻胶的制作方法
机译:以像素电极周围的栅金属层为黑矩阵的液晶显示器TFT矩阵的三层工艺
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