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孙加兴; 叶甜春; 谢常青; 申云琴; 刘刚;
天津大学电子信息工程学院;
中科院微电子中心;
中国科技大学国家同步辐射实验室;
光刻; X射线; 赝质吉高电子迁移率晶体管; T形栅; 多介质工艺; 半导体器件;
机译:锗凝结技术制作的高k栅介质和金属栅GOI-MOSFET的分析
机译:利用肖特基绕栅控制的砷化镓六角形纳米线网络结构的有源和顺序电路的制作与表征
机译:制作工艺对双图案制造的深紫外钨丝栅偏光片的影响
机译:基于同步加速器的近距离X射线光刻技术,用于T形门的新型ZEP520 / P(MMA-MAA)/ ZEP520三层工艺
机译:替代栅介质材料的技术开发和工艺集成;氧化。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:中子星兼并的R-工艺元素的化学演变:2相形外星形介质的作用
机译:用于亚100nm通道长度晶体管的X射线光刻技术,采用常规光刻,各向异性蚀刻和斜阴影制作的掩模
机译:浮栅存储单元及其生产工艺的沟道具有隧道电介质,浮栅和控制栅区域以及不同的写和擦除能垒
机译:栅的替换是一种基于不共形的所述层间电介质的,具有较大ε的金属栅堆叠的方法
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